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MMBTA42LT1

롬돌이 2025. 10. 21. 18:27
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🔋 MMBTA42LT1 NPN 트랜지스터 정리 – 고전압용 SOT-23 소형 트랜지스터

MMBTA42LT1은 ON Semiconductor(온세미)에서 제조한 고전압용 NPN 실리콘 트랜지스터입니다. 소형 SOT-23(TO-236) 패키지로 제공되며, 고전압 신호 증폭이나 전압 감지, 스위칭 회로 등에 자주 사용됩니다.


1️⃣ 제품 개요

MMBTA42LT1은 최대 300V의 Collector–Emitter 전압을 처리할 수 있으며, 소형 회로에서도 안정적으로 동작하는 고전압용 범용 트랜지스터입니다. 신호 증폭, 전압 감지, 릴레이 구동, 피드백 회로 등에 적합합니다.


2️⃣ 주요 사양 (Key Specifications)

항목
트랜지스터 종류NPN (High Voltage Type)
패키지SOT-23 (TO-236)
Collector–Emitter Voltage (VCEO)300 V
Collector–Base Voltage (VCBO)300 V
Emitter–Base Voltage (VEBO)6 V
Collector Current (IC)500 mA
전력 소모 (PD)225 mW (FR-5 보드) / 300 mW (Alumina 보드)
동작 온도−55 ℃ ~ +150 ℃
DC 전류 이득 (hFE)25 ~ 40 (IC=1~30 mA, VCE=10 V)
주파수 특성 (fT)50 MHz (typ.)

3️⃣ 전기적 특성 (Electrical Characteristics)

OFF 상태

  • Collector–Emitter Breakdown Voltage: 300 V
  • Collector–Base Breakdown Voltage: 300 V
  • Emitter–Base Breakdown Voltage: 6 V
  • Collector Cutoff Current (ICBO): ≤ 0.1 µA
  • Emitter Cutoff Current (IEBO): ≤ 0.1 µA

ON 상태

  • VCE(sat): ≤ 0.5 V (IC=20 mA, IB=2 mA)
  • VBE(sat): ≤ 0.9 V
  • DC 전류 이득 (hFE): 25~40 (IC=1~30 mA)

소신호 특성 (Small-Signal)

  • fT: 50 MHz (IC=10 mA, VCE=20 V, f=100 MHz)
  • Ccb: 3 pF @ VCB=20 V, f=1 MHz

4️⃣ 전력 소모 계산 (Power Dissipation)

데이터시트에 따르면 전력 소모는 아래 식으로 계산됩니다:

P_D = (T_J(max) - T_A) / RθJA

예를 들어, TJ(max)=150 ℃, TA=25 ℃, RθJA=556 ℃/W라면:

P_D = (150 − 25) / 556 = 약 225 mW

즉, FR-5 보드 기준으로 약 0.225W까지 허용됩니다.
세라믹(Alumina) 기판을 사용할 경우 RθJA=417 ℃/W로 낮아져 약 0.3W 수준까지 가능합니다.


5️⃣ PCB 실장 및 납땜 주의사항 (SOT-23 Mounting)

추천 패드 크기

항목치수 (mm)
패드 폭0.95
리드 간격2.0
패드 간격0.9
패드 두께0.8 ~ 1.0

납땜 조건 (Soldering Precautions)

  • 예열(Preheat) 필수, 예열–납땜 온도차는 100°C 이하
  • 최대 납땜 온도: 260°C, 10초 이하
  • 냉각은 자연 냉각으로 최소 3분 이상
  • 강제 냉각 또는 기계적 충격 금지

※ 과열 또는 급격한 온도 변화는 Thermal Stress로 인해 내부 손상을 유발할 수 있습니다.


6️⃣ 패키지 정보 (Package Dimensions)

  • 형식: SOT-23 (TO-236)
  • 핀 구성: ① Base / ② Emitter / ③ Collector
항목최소 (mm)최대 (mm)
A (본체 높이)2.803.04
B (본체 폭)1.201.40
C (리드 높이)0.891.11
G (리드 간격)1.782.04
L (리드 길이)0.891.02

7️⃣ 응용 예시 (Typical Applications)

  • 고전압 신호 증폭 회로
  • 전압 감지 회로
  • 스위칭 드라이버 (Relay Driver)
  • 전압 피드백 회로
  • 레벨 시프터(Level Shifter)

8️⃣ 설계 팁 (Design Tips)

  • 최대 전류가 500mA이므로, 대전류 스위칭보다는 신호 증폭·레벨 시프팅용으로 적합합니다.
  • 세라믹 기판(Alumina)이나 Thermal-Clad 보드를 사용하면 발열 성능을 2배 이상 향상시킬 수 있습니다.
  • 온도 변화가 큰 회로에서는 열 평형(thermal balance)을 고려한 설계가 필요합니다.

📘 결론

MMBTA42LT1고전압·저전류 응용에 최적화된 소형 NPN 트랜지스터입니다. 300V의 내전압과 50MHz 수준의 주파수 특성을 갖추고 있어, 고전압 신호 증폭, 절연 회로, 전압 피드백 설계 등에 폭넓게 사용됩니다.

실제 회로 설계 시에는 열 관리와 납땜 조건을 충분히 고려해 안정성을 확보하는 것이 중요합니다.

출처: ON Semiconductor MMBTA42LT1 Data Sheet

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