임베디드
MMBTA42LT1
롬돌이
2025. 10. 21. 18:27
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🔋 MMBTA42LT1 NPN 트랜지스터 정리 – 고전압용 SOT-23 소형 트랜지스터
MMBTA42LT1은 ON Semiconductor(온세미)에서 제조한 고전압용 NPN 실리콘 트랜지스터입니다. 소형 SOT-23(TO-236) 패키지로 제공되며, 고전압 신호 증폭이나 전압 감지, 스위칭 회로 등에 자주 사용됩니다.
1️⃣ 제품 개요
MMBTA42LT1은 최대 300V의 Collector–Emitter 전압을 처리할 수 있으며, 소형 회로에서도 안정적으로 동작하는 고전압용 범용 트랜지스터입니다. 신호 증폭, 전압 감지, 릴레이 구동, 피드백 회로 등에 적합합니다.
2️⃣ 주요 사양 (Key Specifications)
| 항목 | 값 |
|---|---|
| 트랜지스터 종류 | NPN (High Voltage Type) |
| 패키지 | SOT-23 (TO-236) |
| Collector–Emitter Voltage (VCEO) | 300 V |
| Collector–Base Voltage (VCBO) | 300 V |
| Emitter–Base Voltage (VEBO) | 6 V |
| Collector Current (IC) | 500 mA |
| 전력 소모 (PD) | 225 mW (FR-5 보드) / 300 mW (Alumina 보드) |
| 동작 온도 | −55 ℃ ~ +150 ℃ |
| DC 전류 이득 (hFE) | 25 ~ 40 (IC=1~30 mA, VCE=10 V) |
| 주파수 특성 (fT) | 50 MHz (typ.) |
3️⃣ 전기적 특성 (Electrical Characteristics)
OFF 상태
- Collector–Emitter Breakdown Voltage: 300 V
- Collector–Base Breakdown Voltage: 300 V
- Emitter–Base Breakdown Voltage: 6 V
- Collector Cutoff Current (ICBO): ≤ 0.1 µA
- Emitter Cutoff Current (IEBO): ≤ 0.1 µA
ON 상태
- VCE(sat): ≤ 0.5 V (IC=20 mA, IB=2 mA)
- VBE(sat): ≤ 0.9 V
- DC 전류 이득 (hFE): 25~40 (IC=1~30 mA)
소신호 특성 (Small-Signal)
- fT: 50 MHz (IC=10 mA, VCE=20 V, f=100 MHz)
- Ccb: 3 pF @ VCB=20 V, f=1 MHz
4️⃣ 전력 소모 계산 (Power Dissipation)
데이터시트에 따르면 전력 소모는 아래 식으로 계산됩니다:
P_D = (T_J(max) - T_A) / RθJA
예를 들어, TJ(max)=150 ℃, TA=25 ℃, RθJA=556 ℃/W라면:
P_D = (150 − 25) / 556 = 약 225 mW
즉, FR-5 보드 기준으로 약 0.225W까지 허용됩니다.
세라믹(Alumina) 기판을 사용할 경우 RθJA=417 ℃/W로 낮아져 약 0.3W 수준까지 가능합니다.
5️⃣ PCB 실장 및 납땜 주의사항 (SOT-23 Mounting)
추천 패드 크기
| 항목 | 치수 (mm) |
|---|---|
| 패드 폭 | 0.95 |
| 리드 간격 | 2.0 |
| 패드 간격 | 0.9 |
| 패드 두께 | 0.8 ~ 1.0 |
납땜 조건 (Soldering Precautions)
- 예열(Preheat) 필수, 예열–납땜 온도차는 100°C 이하
- 최대 납땜 온도: 260°C, 10초 이하
- 냉각은 자연 냉각으로 최소 3분 이상
- 강제 냉각 또는 기계적 충격 금지
※ 과열 또는 급격한 온도 변화는 Thermal Stress로 인해 내부 손상을 유발할 수 있습니다.
6️⃣ 패키지 정보 (Package Dimensions)
- 형식: SOT-23 (TO-236)
- 핀 구성: ① Base / ② Emitter / ③ Collector
| 항목 | 최소 (mm) | 최대 (mm) |
|---|---|---|
| A (본체 높이) | 2.80 | 3.04 |
| B (본체 폭) | 1.20 | 1.40 |
| C (리드 높이) | 0.89 | 1.11 |
| G (리드 간격) | 1.78 | 2.04 |
| L (리드 길이) | 0.89 | 1.02 |
7️⃣ 응용 예시 (Typical Applications)
- 고전압 신호 증폭 회로
- 전압 감지 회로
- 스위칭 드라이버 (Relay Driver)
- 전압 피드백 회로
- 레벨 시프터(Level Shifter)
8️⃣ 설계 팁 (Design Tips)
- 최대 전류가 500mA이므로, 대전류 스위칭보다는 신호 증폭·레벨 시프팅용으로 적합합니다.
- 세라믹 기판(Alumina)이나 Thermal-Clad 보드를 사용하면 발열 성능을 2배 이상 향상시킬 수 있습니다.
- 온도 변화가 큰 회로에서는 열 평형(thermal balance)을 고려한 설계가 필요합니다.
📘 결론
MMBTA42LT1은 고전압·저전류 응용에 최적화된 소형 NPN 트랜지스터입니다.
300V의 내전압과 50MHz 수준의 주파수 특성을 갖추고 있어,
고전압 신호 증폭, 절연 회로, 전압 피드백 설계 등에 폭넓게 사용됩니다.
실제 회로 설계 시에는 열 관리와 납땜 조건을 충분히 고려해 안정성을 확보하는 것이 중요합니다.
출처: ON Semiconductor MMBTA42LT1 Data Sheet
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